삼성 '3나노' 신기술 집약 - TSMC 맹추격
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삼성 '3나노' 신기술 집약 - TSMC 맹추격
  • 성정욱 기자
  • 승인 2021.10.07 10:16
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내년 상반기 세계 최초 양산 예정, GAA기술로 전력소모 50% 줄여 AMD, 3나노 파운드리 발주 유력

삼성전자가 대만 TSMC에 앞서 내년 상반기 중으로 3나노(나노미터·1㎚는 10억분의 1m) 반도체를 양산한다고 공식 선언했다고 7일 밝혔다. 삼성전자는 3나노 반도체 양산에 초미세공정의 '게임 체인저'로 불리는 신기술 '게이트올어라운드(GAA)'를 업계 최초로 적용한다.
 

최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)이 7일 새벽 열린 `삼성 파운드리 포럼 2021`에서 기조연설을 하고 있다
최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)이 7일 새벽 열린 `삼성 파운드리 포럼 2021`에서 기조연설을 하고 있다

삼성전자는 7일 새벽 온라인으로 개최한 '삼성 파운드리 포럼 2021'에서 이 같은 내용을 담은 기술 로드맵을 공개했다. 내년 상반기 GAA 기술을 3나노 양산에 도입하고 2023년에는 3나노 2세대, 2025년에는 GAA 기반 2나노 공정 양산에 나선다는 게 로드맵의 주요 내용이다.
최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 포럼 기조연설에서 "대규모 투자를 통해 GAA 등 첨단 미세공정뿐만 아니라 기존 공정에서도 차별화된 기술 혁신을 이어갈 것"이라며 "고객의 다양한 아이디어가 구현될 수 있도록 차별화된 가치를 제공해 나가겠다"고 밝혔다.


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